IGBT/SIC MOSFET电源模块

绝缘栅双级型晶体管IGBT具有高频高电压、大电流、损耗小，及易开关等特点，更适合于600V及以上的交流电机、变频器、电源开关等变流系统。

产品特点：“Si₃N₄材料”超厚低应力镀铜技术，可有效降低铜层剥离（可通过TST-50～150℃ 1000次）

可通过漏点流测试（2Kv≤1mA）

线距可小于500um

拉力测试可达20Mpa