IGBT DPC 基板

材料: 氮化硅(Si3N4) (热导率≥80w/m.K）

厚度: 0.32mm

尺寸: 42.0x62.0mm

基底镀层要求: 铜300±15um

表面处理: 沉银

产品介绍

我司技术团队透过陶瓷金属化技术及累积多年迭代优化制程，可提供高质量、高可靠性陶瓷热沉基板，利用磁控溅镀及曝光显影方式在陶瓷基板上刻划出电路图形，经由电镀方式不仅使金属与陶瓷两种复合物质接着性强固； 与AMB(Active Metal Brazing)活性金属钎焊基板的特性有异曲同工之效；並有线路不易脱落的高可靠性，且图形位置与一般覆铜基板金属化制程更准确，线宽线距更密集之优点。

应用范围：

主要应用于能源转换的高功率模块、 新能源电动车、充电及储能系统等 碳化硅(SiC)MOSFET模块