IGBT 功率器件AMB基板

材料: 氮化硅Si3N4

厚度: 0.32±0.04mm

尺寸: 36.25x58.0mm

金属层要求: 铜厚: 0.3±0.05mm

其他要求: 铜箔导电率: 59x106s/m

钎焊覆盖面的空洞率: ≤0.3％(50μm)

产品介绍

AMB氮化硅活性金属钎焊覆铜基板与Si、SiC、GaAs等材料具有良好的匹配性，使氮化硅陶瓷基板成为非常有吸引力的高强度、高导热性能，完全满足高温、大功率、高散热、高可靠性的第三代大功率半导体电子器件基板材料封装要求，非常适合应用于直流电压为600V以上的变流系统如新能源车、充电桩、地铁、逆变器等，在我司技术团队透过多年的陶瓷金属化技术，可提供高质量、高可靠性的陶瓷基板，确保客户IGBT 功率器件模块封装制程的可靠信。

应用范围:

主要应用于新能源车、充电桩、地铁、逆变器等的功率模块。